A Box Optronics pode fornecer o diodo a laser acoplado a laser acoplado a laser semicondutor de alta potência de 1000 W 1000W para soldagem a laser, processamento de material, fonte da bomba e outros campos.
A Box Optronics pode fornecer o diodo a laser acoplado a laser acoplado a laser semicondutor de alta potência de 1000 W 1000W para soldagem a laser, processamento de material, fonte da bomba e outros campos.
● Laser emissor único de 915nm;
● 1000W de alta potência de saída;
● Fibra de 400um 0,22na;
● Conformidade do ROHS.
● atendimento médico;
● Impressão;
● Processamento de material;
● Fonte da bomba.
Parâmetro | Símbolo | Min. | TIPO. | Máx. | Unidade |
Temperatura de solda de chumbo | Ts | - | - | 250 (5SEC.) | ℃ |
Umidade reversa | RH | 5% | - | 95% | - |
Faixa de temperatura operacional | PRINCIPAL | 15 | - | 55 | ℃ |
Faixa de temperatura de armazenamento | Tst | -30 | - | 70 | ℃ |
Parâmetro | Símbolo | Min. | TIPO. | Máx. | Unidade |
Potência operacional de saída | BOUT | 960 | 1000 | - | W |
Gama de comprimento de onda disponível | λ | 905 | 915 | 925 | nm |
Largura espectral @ fwhm | Dl | - | 4.5 | 6 | nm |
Corrente limiar | Com | - | 1.5 | 2.5 | A |
Corrente operacional em bout | PIO | - | - | 35 | A |
Tensão operacional em bico | GTC | - | 59 | 62 | V |
Eficiência de conversão de energia | - | - | 48 | - | % |
Coeficiente de temperatura do comprimento de onda | Dl/dt | - | 0.3 | - | nm/℃ |
Eficiência de inclinação | η | - | 33 | - | Com a |
Raio de dobra de fibra | r | 37.5 | - | - | mm |
Núcleo de fibra | Decoração | 400 | µm/µm | ||
1064 ISO | - | - | 30 | - | dB |
Abertura numérica de fibra | N / D | 0.2 | 0.22 | 0.24 | - |
Abertura numérica do feixe (95% de potência) | N / D | - | 0.18 | - | N / D |
Comprimento da fibra | Lf | 1 | 1.5 | - | m |
Tubo solto | - | - | 0.9 | - | mm |
Tipo de conector | - | Co | - |
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A: Temos 793nm 808nm 915nm 975nm Diodo a laser.
P: Qual é o requisito para a potência de saída?R: Box Optronics pode personalizar de acordo com seus requisitos.
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