Fotodiodos InGaAs de área ativa de 0,3 mm para detecção de luz infravermelha próxima. Os recursos incluem alta velocidade, alta sensibilidade, baixo ruído e respostas espectrais que variam de 1100nm a 1650nm Adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo comunicação óptica, análise e medição.
O fotodiodo PIN InGaAs de área ativa de 1 mm para detecção de luz infravermelha próxima. Os recursos incluem alta velocidade, alta sensibilidade, baixo ruído e respostas espectrais que variam de 1100nm a 1650nm Adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo comunicação óptica, análise e medição.
2mm Área ativa TO-CAN InGaAs PIN Fotodiodo, fotodiodo de alta sensibilidade para uso em instrumentação infravermelha e aplicações de detecção. Alta resposta espectral na região de 800 nm a 1700 nm.
O chip de fotodiodo InGaAs de 300um oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, perfeito para telecomunicações e detecção de infravermelho próximo. O fotodiodo é perfeito para aplicações de alta largura de banda e alinhamento ativo.
O chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500um oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, perfeito para telecomunicações e detecção de infravermelho próximo. O fotodiodo é perfeito para aplicações de alta largura de banda e alinhamento ativo.
O chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, o chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm é ideal para aplicações de rede óptica de alta largura de banda de 1310nm e 1550nm. A série de dispositivos oferece alta responsividade, baixa corrente escura e alta largura de banda para design de receptor de alto desempenho e baixa sensibilidade. Este dispositivo é ideal para fabricantes de receptores ópticos, transponders, módulos de transmissão óptica e combinação de fotodiodo PIN – amplificador de transimpedância.
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