A tecnologia chave de diodo laser de alta potência
2021-07-02
Otimização do projeto estrutural: Os três princípios básicos dos lasers de semicondutores são: injeção elétrica e confinamento, conversão eletro-óptica, confinamento e saída ópticos, que correspondem ao projeto de injeção elétrica, projeto de poço quântico e projeto de campo óptico da estrutura do guia de onda, respectivamente. A otimização da estrutura de poços quânticos, fios quânticos, pontos quânticos e cristais fotônicos promoveu a melhoria contínua da tecnologia laser, tornando a potência de saída e a eficiência de conversão eletro-óptica dos lasers cada vez mais alta, a qualidade do feixe ficando cada vez melhor e mais alta confiabilidade . Tecnologia de crescimento de material epitaxial de alta qualidade: A tecnologia de crescimento de material epitaxial a laser semicondutor é o núcleo do desenvolvimento do laser de semicondutores. Ele otimiza principalmente a curva de dopagem para reduzir a sobreposição entre o campo óptico e a região fortemente dopada, reduzindo assim a perda de absorção de portadores livres e melhorando a eficiência de conversão do dispositivo. Tecnologia de tratamento de superfície de cavidade: Através de várias tecnologias de passivação e revestimento de superfície de cavidade, reduza ou elimine defeitos e oxidação da superfície da cavidade, reduza a absorção de luz da superfície da cavidade, aumente o valor COMD da superfície da cavidade e alcance uma alta potência de pico. Tecnologia de embalagem integrada: A pesquisa sobre a tecnologia-chave de embalagem de laser semicondutor de alta potência é começar com os aspectos de calor, materiais de embalagem e estresse, para resolver o design de embalagem de gerenciamento térmico e estresse térmico e alcançar um avanço tecnológico em o desenvolvimento de lasers semicondutores diretos de alta potência, alto brilho e alta confiabilidade.
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