Este é um chip embalado com circuitos integrados compostos por dezenas ou dezenas de bilhões de transistores em seu interior. Quando ampliamos ao microscópio, podemos ver que o interior é tão complexo quanto uma cidade. O circuito integrado é um tipo de dispositivo ou componente eletrônico em miniatura. Juntamente com fiação e interconexão, fabricado em uma pequena ou várias pastilhas semicondutoras pequenas ou substratos dielétricos para formar circuitos eletrônicos estruturalmente conectados e relacionados internamente. Vamos pegar o circuito divisor de tensão mais básico como exemplo para ilustrar que é como realizar e produzir efeito dentro do chip.
Os circuitos integrados podem ser reduzidos graças à tecnologia de semicondutores. O silício puro é um semicondutor, o que significa que a capacidade de conduzir eletricidade é pior que a dos isolantes, mas não tão boa quanto os metais. Portanto, o pequeno número de cargas móveis é o que torna o silício um semicondutor. Mas uma arma secreta é indispensável para a dopagem de chips. Existem dois tipos de dopagem para o silício, tipo P e tipo N. O silício tipo N conduz eletricidade por elétrons (os elétrons são carregados negativamente), e o silício tipo P conduz eletricidade por buracos (um grande número de buracos carregados positivamente). Como é o interruptor no circuito divisor de tensão no chip e como ele funciona?
A função de chave no circuito integrado é o corpo do transistor, que é uma espécie de chave eletrônica. O tubo MOS comum é o tubo MOS, e o tubo MOS é feito de semicondutores tipo N e tipo P no substrato de silício tipo P. Duas regiões de silício tipo N são fabricadas. Essas duas regiões de silício tipo N são o eletrodo Source e o eletrodo Drain do tubo MOS. Em seguida, uma camada de dióxido de silício é fabricada acima da área central da Fonte e Dreno, e então o dióxido de silício é coberto. Uma camada de condutor, esta camada de condutor é o pólo GATE do tubo MOS. O material do tipo P tem um grande número de buracos e apenas alguns elétrons, e os buracos são carregados positivamente, então os buracos carregados positivamente nesta parte da área são dominantes, e há um pequeno número de elétrons carregados negativamente, e a área do tipo N é carregada negativamente. A eletrônica domina.
Vamos usar a analogia de uma torneira. O mais à direita é a Fonte. Nós a chamamos de fonte, que é o lugar por onde a água flui. O portão no meio é o portão, que é equivalente a uma válvula de água. O dreno à esquerda é onde a água vaza. Assim como o fluxo de água, os elétrons também fluem da fonte para o dreno. Então há um obstáculo no meio, que é o material P. O material P tem um grande número de lacunas carregadas positivamente e os elétrons encontram as lacunas. Está neutralizado e não consegue passar. então o que devemos fazer? Podemos adicionar uma carga positiva à grade para atrair os elétrons carregados negativamente no material do tipo P. Embora não haja muitos elétrons no material do tipo P, adicionar uma carga positiva à grade ainda pode atrair alguns elétrons para formar um canal. O elétron passa. O resumo é que a fonte é a fonte de elétrons, que continuamente fornecem elétrons para fluir para o dreno, mas se eles podem passar pela grade. A grade é como uma válvula, um interruptor, que controla a abertura e o fechamento do tubo MOS. Este é o princípio do tubo MOS como um interruptor eletrônico.
Agora que a chave eletrônica é conhecida, vejamos a realização da resistência. Primeiro, faça uma área do tipo N no substrato de silício do tipo P e, em seguida, use metal para conduzir as duas extremidades da área do tipo N, de modo que N1 e N2 sejam os dois resistores. Este é o fim, então o circuito integrado do circuito divisor de tensão é usar metal para conectar o tubo MOS e o resistor que acabamos de falar no chip de silício de acordo com a relação de conexão do circuito.
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