Um chip de diodo a laser é um laser baseado em semicondutores que consiste em uma estrutura P-N e é alimentado pela corrente. O pacote de diodo a laser é um dispositivo completo que é montado e empacotado em um alojamento de embalagem selado para formar um chip a laser semicondutor que emite luz coerente, um chip de fotodiodo de monitoramento para controle de feedback da saída de energia, um chip de sensor de temperatura para monitoramento de temperatura ou uma lente óptica para laser.
As características de polarização da luz são uma descrição da direção de vibração do vetor de campo elétrico da luz. Existem cinco estados de polarização no total: luz completamente não polarizada, luz parcialmente polarizada, luz polarizada linearmente, luz elipticamente polarizada e luz polarizada circularmente
Um laser de bomba é um laser usado para fornecer uma fonte de luz de excitação para um laser de fibra ou amplificador de fibra. O comprimento de onda de emissão de um laser da bomba de 980nm é de aproximadamente 980 nanômetros (NM).
A luz de banda larga ASE gerada pela fibra dopada com erbio é a luz de emissão espontânea amplificada gerada por fibra de bombeamento de laser de onda de onda curta. Como mostrado no diagrama a seguir, os íons de terras raras bombeadas transitam entre os níveis de energia superior e inferior para gerar luz de emissão espontânea, que é amplificada no processo de emissão estimulada. Esse processo é repetido continuamente, e mesmo uma potência de saída bastante alta pode ser alcançada sob condições de bombeamento suficientes. (ASE = emissão espontânea amplificada, luz de emissão espontânea amplificada)
Para fibra óptica de manutenção de polarização (PM), assumindo que a direção da polarização da luz polarizada linearmente de entrada esteja no meio do eixo rápido e do eixo lento, ela pode ser decomposta em dois componentes de polarização ortogonais. Como mostrado na figura abaixo, as duas ondas de luz inicialmente têm a mesma fase, mas como o índice de refração do eixo lento é maior que o do eixo rápido, sua diferença de fase aumentará linearmente com a distância de propagação.
Dependendo do material da região ativa, a largura do espaço da banda do material semicondutor do laser de semicondutor de luz azul varia, de modo que o laser semicondutor pode emitir luz de cores diferentes. O material da região ativa do laser semicondutor de luz azul é GaN ou Ingan.
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