O amplificador de fibra dopada com érbio de 1W 30dBm de banda C de alta potência EYDFA (EYDFA-HP) é baseado na tecnologia de amplificador de fibra dopada com érbio de revestimento duplo, usando um processo de empacotamento óptico exclusivo, juntamente com um design confiável de proteção a laser de alta potência, para obter saída de laser de alta potência na faixa de comprimento de onda de 1540 ~ 1565 nm. Com alta potência e baixo ruído, pode ser utilizado em comunicação por fibra ótica, Lidar, etc.
O chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, o chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm é ideal para aplicações de rede óptica de alta largura de banda de 1310nm e 1550nm. A série de dispositivos oferece alta responsividade, baixa corrente escura e alta largura de banda para design de receptor de alto desempenho e baixa sensibilidade. Este dispositivo é ideal para fabricantes de receptores ópticos, transponders, módulos de transmissão óptica e combinação de fotodiodo PIN – amplificador de transimpedância.
BoxOptronics Panda Polarization Keeping PM Erbium Doped Fiber é usado principalmente em amplificadores ópticos de manutenção de polarização de 1,5μm, lidar e produtos a laser seguros para os olhos. A fibra dopada com érbio que mantém a polarização tem alta birrefringência e excelentes características de manutenção da polarização. A fibra tem uma concentração de dopagem mais alta, o que reduz a potência necessária da bomba e o comprimento da fibra, reduzindo assim o impacto dos efeitos não lineares. Ao mesmo tempo, a fibra óptica apresenta baixa perda de emenda e forte resistência à flexão. Com base no processo de preparação de fibra óptica do BoxOptronics Laser, a fibra óptica dopada com érbio que mantém a polarização tem boa consistência.
Os amplificadores de fibra dopada com érbio de 2W 33dBm de banda C de alta potência EDFA (EYDFA-HP) são baseados na tecnologia de amplificador de fibra dopada com érbio de revestimento duplo, usando um processo de embalagem óptica exclusivo, juntamente com um design confiável de proteção a laser de alta potência , para obter saída de laser de alta potência na faixa de comprimento de onda de 1540 ~ 1565 nm. Com alta potência e baixo ruído, pode ser utilizado em comunicação por fibra ótica, Lidar, etc.
50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip é um fotodiodo com ganho interno produzido pela aplicação de uma tensão reversa. Eles têm uma relação sinal-ruído (SNR) mais alta do que os fotodiodos, bem como uma resposta de tempo rápida, baixa corrente escura e alta sensibilidade. A faixa de resposta espectral é tipicamente entre 900 - 1650nm.
Este módulo de laser de fibra dopada com érbio DFB de comprimento de onda único de 1550nm 5W adota chip de laser DFB e módulo de caminho óptico de ganho de alta potência para realizar a saída de alta potência da fibra monomodo. O circuito de controle de temperatura e acionamento do laser projetado profissionalmente garante a operação segura e estável do laser.
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