A fibra dopada com érbio de manutenção da polarização de compensação de dispersão da BoxOptronics adota um projeto de manutenção de alta dopagem e polarização, usado principalmente para laser de fibra de 1,5μm. O núcleo exclusivo da fibra e o design do perfil do índice de refração fazem com que ela tenha alta dispersão normal e excelentes características de manutenção da polarização. A fibra tem uma maior concentração de dopagem, o que pode reduzir o comprimento da fibra, reduzindo assim a influência de efeitos não lineares. Ao mesmo tempo, a fibra óptica apresenta baixa perda de emenda e forte resistência à flexão. Tem boa consistência.
Os amplificadores de fibra dopada com érbio de 3W 35dBm de banda C de alta potência EDFA (EYDFA-HP) são baseados na tecnologia de amplificador de fibra dopada com érbio de revestimento duplo, usando um processo de embalagem óptica exclusivo, juntamente com um design confiável de proteção a laser de alta potência , para obter saída de laser de alta potência na faixa de comprimento de onda de 1540 ~ 1565nm. Com alta potência e baixo ruído, pode ser utilizado em comunicação por fibra ótica, Lidar, etc.
200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip é especialmente projetado para ter um baixo escuro, baixa capacitância e alto ganho de avalanche. Usando este chip, um receptor óptico com alta sensibilidade pode ser alcançado.
A fibra dopada com érbio resistente à radiação BoxOptronics tem boas características anti-radiação, o que pode efetivamente reduzir o impacto da radiação de íons de alta energia na fibra dopada com érbio. A fibra tem boa consistência. Pode ser bombeado em 980 nm ou 1480 nm e pode realizar conexão de baixa perda com fibra óptica de comunicação.
Os Amplificadores de Fibra Óptica EDFA de 5W 37dBm de Banda C de Alta Potência (EYDFA-HP) são baseados na tecnologia de amplificador de fibra dopada com érbio de revestimento duplo, usando um processo de empacotamento óptico exclusivo, juntamente com um design confiável de proteção a laser de alta potência, para alcance a saída de laser de alta potência na faixa de comprimento de onda de 1540 ~ 1565 nm. Com alta potência e baixo ruído, pode ser utilizado em comunicação por fibra ótica, Lidar, etc.
O chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500um é especialmente projetado para ter um baixo escuro, baixa capacitância e alto ganho de avalanche. Usando este chip, um receptor óptico com alta sensibilidade pode ser alcançado.
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