Os APDs de fotodiodos de avalanche InGaAs de 50um são os maiores APDs InGaAs disponíveis comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 900 a 1700nm, a responsividade de pico em 1550nm é ideal para aplicações de detecção de alcance seguras para os olhos, comunicações ópticas de espaço livre, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica. O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção de pigtail também está disponível.
O chip de 915nm 12W no diodo laser Submount COS, empregando ligação AuSn e pacote P Down com múltiplas vantagens de alta confiabilidade, potência de saída estável, alta potência, alta eficiência, longa vida útil e alta compatibilidade, e é amplamente aplicado no mercado.
O módulo de diodo laser multimodo não resfriado de 785nm 2W é amplamente utilizado em testes de pesquisa de laboratório, bombeamento a laser, medicina, impressão e processamento de materiais.
O diodo laser 1270nm DFB 10mW Butterfly é fabricado em um pacote borboleta de 14 pinos hermeticamente selado. Também temos uma seleção completa de potências de saída, tipos de pacotes e fibras de saída de fibras SM, fibras PM e outras fibras especiais, também podemos personalizar o comprimento de onda, abrangendo de 1270nm a 1650nm.
Laser de fibra de pulso de femtosegundo de 780nm Para imagens multifotônicas, use a mais recente tecnologia de laser de femtosegundo para obter uma saída estável de laser de pulso de femtosegundo de 780nm. Com as características de pulso de laser estreito e alta potência de pico.
Módulo laser de fibra 5w 1570nm de alta potência para fonte de laser de bomba adota chip laser semicondutor DFB, saída de fibra monomodo, design profissional de circuito de acionamento e controle TEC para garantir a operação segura e estável do laser.
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