Fotodiodo InGaAs 1310nm/1550nm Fabricantes

Nossa fábrica fornece módulos de laser de fibra, módulos de laser ultrarrápidos, lasers de diodo de alta potência. Nossa empresa adota tecnologia de processo estrangeira, possui equipamentos avançados de produção e teste, no pacote de acoplamento do dispositivo, o design do módulo tem tecnologia líder e vantagem de controle de custos, bem como o sistema de garantia de qualidade perfeito, pode garantir o alto desempenho para o cliente , Produtos optoeletrônicos de qualidade confiável.

Produtos quentes

  • Diodo Laser Borboleta 1270nm DFB 10mW

    Diodo Laser Borboleta 1270nm DFB 10mW

    O diodo laser 1270nm DFB 10mW Butterfly é fabricado em um pacote borboleta de 14 pinos hermeticamente selado. Também temos uma seleção completa de potências de saída, tipos de pacotes e fibras de saída de fibras SM, fibras PM e outras fibras especiais, também podemos personalizar o comprimento de onda, abrangendo de 1270nm a 1650nm.
  • Laser de diodo acoplado a fibra de 940nm 60w

    Laser de diodo acoplado a fibra de 940nm 60w

    O Laser de Diodo Acoplado a Fibra de 940nm e 60W oferece alto brilho, dimensões reduzidas e gerenciamento térmico simplificado ao perturbar os diodos (fontes de calor), permitindo o uso de arquiteturas refrigeradas a ar ou a água com alta confiabilidade previsível. A série de Laser de Diodo Acoplado a Fibra de 940nm 60w é uma solução exclusiva para o mercado de laser de bomba acoplada a fibra, oferecendo atributos técnicos poderosos em um pacote econômico.
  • Fibras Raman de Fósforo Altamente Dopadas

    Fibras Raman de Fósforo Altamente Dopadas

    As Fibras Raman de Fósforo Altamente Dopado da Boxoptronics são projetadas para lasers Raman eficientes e amplificadores operando na faixa espectral de 1,1-1,6 µm. A principal vantagem da fibra dopada com fósforo é o valor de deslocamento Raman três vezes maior em comparação com a fibra dopada com germânio. Esse recurso pode simplificar muito o projeto de amplificadores e lasers de fibra Raman.
  • Chip de fotodiodo de avalanche de 50um InGaAs

    Chip de fotodiodo de avalanche de 50um InGaAs

    50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip é um fotodiodo com ganho interno produzido pela aplicação de uma tensão reversa. Eles têm uma relação sinal-ruído (SNR) mais alta do que os fotodiodos, bem como uma resposta de tempo rápida, baixa corrente escura e alta sensibilidade. A faixa de resposta espectral é tipicamente entre 900 - 1650nm.
  • 1330nm DFB embutido TEC Borboleta Diodo Laser

    1330nm DFB embutido TEC Borboleta Diodo Laser

    O DFB de 1330 nm construído no TEC Butterfly Laser Diode foi projetado para transmissão analógica broadcast e narrowcast em aplicações CATV e CWDM. Os módulos fornecem alta potência de saída, mantendo alta linearidade. Os módulos são alojados em um pacote borboleta de 14 pinos hermeticamente selado padrão da indústria, que contém isolador óptico, resfriador termoelétrico e fotodiodo de monitor de energia.
  • Diodo Laser TO-CAN DFB 1290nm 5mW

    Diodo Laser TO-CAN DFB 1290nm 5mW

    Este diodo laser TO-CAN DFB de 1290nm e 5mW é um produto operável em uma ampla faixa de temperatura com baixo coeficiente de comprimento de onda de temperatura. É adequado para aplicações como pesquisa de comunicações, interferometria e refletometria óptica para medição de distância em fibra ou espaço livre. Cada dispositivo passa por testes e burn-in. Este laser vem embalado em uma lata TO de 5,6 mm. Ele contém uma lente de foco asférica integrada na tampa, permitindo que o ponto de foco e a abertura numérica (NA) correspondam à fibra SMF-28e+.

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