Amplificador de fibra dopada com érbio achatado com ganho de múltiplos comprimentos de onda Fabricantes

A matriz de fibra óptica, usando um substrato V-groove (V-Groove), um feixe de fibras ópticas ou uma fita de fibra óptica é instalada no substrato em intervalos especificados para formar uma matriz.

O acoplador de grade usa tecnologia de grade para acoplar sinais ópticos em fibras ópticas e usa o princípio de difração de grade para conectar os sinais ópticos transmitidos com o campo óptico dentro da fibra óptica. O princípio fundamental é usar campos de ondas acústicas de alta frequência como grades para dividir as ondas de luz em muitas pequenas ondas de luz e projetá-las em fibras ópticas, realizando assim o acoplamento, transmissão e recepção de sinais ópticos.

O amplificador de fibra do oscilador principal (MOFA, MOPFA ou MOPA de fibra) é diferente do amplificador de potência do oscilador principal (MOPA), o que significa que o amplificador de potência no sistema é um amplificador de fibra. Os últimos são geralmente amplificadores de revestimento bombeados de alta potência, comumente produzidos com fibras dopadas com itérbio.

Laser-um dispositivo capaz de emitir luz laser. O primeiro amplificador quântico de micro-ondas foi feito em 1954, e um feixe de micro-ondas altamente coerente foi obtido. Em 1958, A.L. Xiaoluo e C.H. Towns estendeu o princípio do amplificador quântico de micro-ondas para a faixa de frequência óptica. Em 1960, T. H. Mayman e outros fizeram o primeiro laser de rubi. Em 1961, A. Jia Wen e outros fizeram um laser de hélio-neon. Em 1962, R. N. Hall e outros criaram um laser semicondutor de arsenieto de gálio. No futuro, haverá cada vez mais tipos de lasers. De acordo com o meio de trabalho, os lasers podem ser divididos em quatro categorias: lasers de gás, lasers sólidos, lasers semicondutores e lasers de corante. Lasers de elétrons livres também foram desenvolvidos recentemente. Lasers de alta potência são geralmente de saída pulsada.

Fotodiodos são freqüentemente usados ​​como fotodetectores. Tais dispositivos contêm uma junção p-n e geralmente possuem uma camada intrínseca entre as camadas n e p. Dispositivos com camadas intrínsecas são chamados de fotodiodos do tipo PIN. A camada de depleção ou a camada intrínseca absorve a luz e gera pares elétron-buraco, que contribuem para a fotocorrente. Em uma ampla faixa de potência, a fotocorrente é estritamente proporcional à intensidade da luz absorvida.

Otimização do projeto estrutural: Os três princípios básicos dos lasers de semicondutores são: injeção elétrica e confinamento, conversão eletro-óptica, confinamento e saída ópticos, que correspondem ao projeto de injeção elétrica, projeto de poço quântico e projeto de campo óptico da estrutura do guia de ondas, respectivamente. A otimização da estrutura de poços quânticos, fios quânticos, pontos quânticos e cristais fotônicos promoveu a melhoria contínua da tecnologia laser, tornando a potência de saída e a eficiência de conversão eletro-óptica dos lasers cada vez mais alta, a qualidade do feixe ficando cada vez melhor e mais alta confiabilidade .