módulo de fonte de luz de banda larga ASE de fibra óptica Fabricantes

Em comparação com a tecnologia de amplificação de fibra óptica discreta, a tecnologia de Amplificação Raman Distribuída (DRA) mostrou vantagens óbvias em muitos aspectos, como figura de ruído, dano não linear, ganho de largura de banda, etc., e ganhou vantagens no campo de comunicação e detecção de fibra óptica. amplamente utilizado. O DRA de alta ordem pode aumentar o ganho profundamente no link para obter uma transmissão óptica quase sem perdas (ou seja, o melhor equilíbrio entre a relação sinal-ruído óptico e danos não lineares) e melhorar significativamente o equilíbrio geral da transmissão de fibra óptica/ sentindo. Comparado com o DRA convencional de alta tecnologia, o DRA baseado em laser de fibra ultralonga simplifica a estrutura do sistema e tem a vantagem de produzir grampos de ganho, mostrando forte potencial de aplicação. No entanto, este método de amplificação ainda enfrenta gargalos que restringem sua aplicação à transmissão/detecção de fibra óptica de longa distância.

Com o desenvolvimento da tecnologia e do processo, os diodos laser semicondutores atualmente em uso prático têm uma estrutura multicamada complicada.

Otimização do projeto estrutural: Os três princípios básicos dos lasers de semicondutores são: injeção elétrica e confinamento, conversão eletro-óptica, confinamento e saída ópticos, que correspondem ao projeto de injeção elétrica, projeto de poço quântico e projeto de campo óptico da estrutura do guia de ondas, respectivamente. A otimização da estrutura de poços quânticos, fios quânticos, pontos quânticos e cristais fotônicos promoveu a melhoria contínua da tecnologia laser, tornando a potência de saída e a eficiência de conversão eletro-óptica dos lasers cada vez mais alta, a qualidade do feixe ficando cada vez melhor e mais alta confiabilidade .