Fotodiodos InGaAs de área ativa de 0,3 mm para detecção de luz infravermelha próxima. Os recursos incluem alta velocidade, alta sensibilidade, baixo ruído e respostas espectrais que variam de 1100nm a 1650nm Adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo comunicação óptica, análise e medição.
Os fotodiodos InGaAs de área ativa de 0,3 mm para detecção de luz infravermelha próxima. Os recursos incluem alta velocidade, alta sensibilidade, baixo ruído e respostas espectrais que variam de 1100nm a 1650nm Adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo comunicação óptica, análise e medição.
Os fotodiodos InGaAs de área ativa de 0,3 mm para detecção de luz infravermelha próxima. Os recursos incluem alta velocidade, alta sensibilidade, baixo ruído e respostas espectrais que variam de 1100nm a 1650nm Adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo comunicação óptica, análise e medição.
Alcance de detecção 1100nm-1650nm;
Pacote coaxial;
Baixa corrente escura, baixa capacitância;
Alta confiabilidade, longa vida útil.
Receptor óptico analógico;
Equipamento de teste.
| Parâmetro | Símbolo | Doença | Min. | Tipo | Máx. | Unidade |
| Faixa de comprimento de onda | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
| Área ativa | φ | - | - | 0.3 | - | milímetros |
| Capacidade de resposta | R | Vr=-5V, A=1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| Vr=-5V, A=1550nm | 0.90 | 0.95 | - | |||
| Corrente escura | identificação | Vr=-5V | - | - | 1 | n / D |
| Tensão operacional | V | - | - | -5 | - | V |
| Tempo de subida | TR | VR=5V, RL=50© | - | - | 1.5 | ns |
| Capacitância | CPD | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | - | 20 | pF |
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R: temos fotodiodo PIN InGaAs de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm de área ativa.
P: Qual é o requisito para o conector?R: A Box Optronics pode personalizar de acordo com suas necessidades.
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