O chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500um oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, perfeito para telecomunicações e detecção de infravermelho próximo. O fotodiodo é perfeito para aplicações de alta largura de banda e alinhamento ativo.
O chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500um oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, perfeito para telecomunicações e detecção de infravermelho próximo. O fotodiodo é perfeito para aplicações de alta largura de banda e alinhamento ativo.
O chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500um oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, perfeito para telecomunicações e detecção de infravermelho próximo. O fotodiodo é perfeito para aplicações de alta largura de banda e alinhamento ativo.
Alcance de detecção 900nm-1650nm;
Alta velocidade;
Alta responsividade;
Baixa capacitância;
Baixa corrente escura;
Estrutura plana superior iluminada.
Monitoramento;
Instrumentos de fibra óptica;
Comunicações de Dados.
| Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
| Voltagem inversa | VRmax | 20 | V |
| Atual para a frente | - | 10 | mA |
| Temperatura de operação | Topr | -40 a +85 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | -55 a +125 | ℃ |
| Parâmetro | Símbolo | Doença | Min. | Tipo | Máx. | Unidade |
| Faixa de comprimento de onda | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Capacidade de resposta | R | A = 1310 nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| A = 1550 nm | - | 0.95 | - | |||
| A = 850 nm | - | 0.20 | - | |||
| Corrente escura | identificação | Vr=5V | - | 1.0 | 10.0 | n / D |
| Capacitância | C | VR=5V, f=1MHz | - | 13 | 18 | pF |
| Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
| Diâmetro da área ativa | D | 500 | hum |
| Diâmetro da almofada de ligação | - | 100 | hum |
| Tamanho da matriz | - | 700 x 700 | hum |
| Espessura da matriz | t | 180±20 | hum |
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R: temos chip de fotodiodo InGaAs de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm de área ativa.
P: Qual é o requisito para o conector?R: A Box Optronics pode personalizar de acordo com suas necessidades.
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