O chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, o chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm é ideal para aplicações de rede óptica de alta largura de banda de 1310nm e 1550nm. A série de dispositivos oferece alta responsividade, baixa corrente escura e alta largura de banda para design de receptor de alto desempenho e baixa sensibilidade. Este dispositivo é ideal para fabricantes de receptores ópticos, transponders, módulos de transmissão óptica e combinação de fotodiodo PIN – amplificador de transimpedância.
O chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, o chip fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1mm é ideal para aplicações de rede óptica de alta largura de banda de 1310nm e 1550nm. A série de dispositivos oferece alta responsividade, baixa corrente escura e alta largura de banda para design de receptor de alto desempenho e baixa sensibilidade. Este dispositivo é ideal para fabricantes de receptores ópticos, transponders, módulos de transmissão óptica e combinação de fotodiodo PIN – amplificador de transimpedância.
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Alcance de detecção 900nm-1650nm;
Alta velocidade;
Alta responsividade;
Baixa capacitância;
Baixa corrente escura;
Estrutura plana superior iluminada.
Monitoramento;
Instrumentos de fibra óptica;
Comunicações de Dados.
| Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
| Voltagem inversa | VRmax | 20 | V |
| Temperatura de operação | Topr | -40 a +85 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | -55 a +125 | ℃ |
| Parâmetro | Símbolo | Doença | Min. | Tipo | Máx. | Unidade |
| Faixa de comprimento de onda | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Capacidade de resposta | R | A = 1310 nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| A = 1550 nm | - | 0.95 | - | |||
| A = 850 nm | - | 0.20 | - | |||
| Corrente escura | identificação | Vr=5V | - | 1.5 | 10.0 | n / D |
| Capacitância | C | VR=5V, f=1MHz | - | 50 | 80 | pF |
| Largura de banda (3dB abaixo) | Bw | V=0V, RL=50© | - | 40 | - | MHz |
| Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
| Diâmetro da área ativa | D | 1000±10 | hum |
| Diâmetro da almofada de ligação | - | 120±3 | hum |
| Tamanho da matriz | - | 1250x1250 (±30) | hum |
| Espessura da matriz | t | 180±20 | hum |
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R: temos chip de fotodiodo InGaAs de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm de área ativa.
P: Qual é o requisito para o conector?R: A Box Optronics pode personalizar de acordo com suas necessidades.
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