Os fotodiodos de avalanche InGaAs de 200um APDs são os maiores InGaAs APD disponíveis comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 1100 a 1650nm, a resposta de pico em 1550nm é ideal para aplicações de telêmetro seguras para os olhos, comunicações ópticas de espaço livre, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica. O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção pigtail também está disponível.
Os fotodiodos de avalanche InGaAs de 200um APDs são os maiores InGaAs APD disponíveis comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 1100 a 1650 nm, a resposta de pico em 1550 nm é ideal para aplicações de telêmetro seguras para os olhos, comunicações ópticas de espaço livre, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica.
O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção pigtail também está disponível.
Os fotodiodos de avalanche InGaAs de 200um APDs são os maiores InGaAs APD disponíveis comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 1100 a 1650 nm, a resposta de pico em 1550 nm é ideal para aplicações de telêmetro seguras para os olhos, comunicações ópticas de espaço livre, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica.
O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção pigtail também está disponível.
Alcance de detecção 1100nm-1650nm;
Ampla faixa dinâmica;
Alta responsabilidade;
Baixa corrente escura;
Pacote TO-46 padrão.
Sensor óptico;
comunicações ópticas de espaço livre.
Parâmetro | Símbolo | Doença | mín. | máx. | Unidade |
Tensão reversa PD | RV | CW | - | VBR | V |
Atual para a frente | SE | CW | - | 10 | mA |
Corrente inversa | IV | CW | - | 10 | mA |
Temperatura de operação | PRINCIPAL | Temperatura da caixa | -40 | +85 | ℃ |
Temperatura de armazenamento | TSTG | Temperatura ambiente | -40 | +85 | ℃ |
Temperatura/Tempo de soldagem de chumbo | Ts | - | - | 260/10 | â/S |
Parâmetro | Símbolo | Doença | mín. | Tipo. | máx. | Unidade |
Faixa de comprimento de onda | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
Área ativa | φ | - | - | 200 | - | hum |
Responsabilidade | Ré | M=1,λ=1550 nm | 0.80 | - | - | A/W |
fator de multiplicação | M | VR=VBR-3, λ=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
corrente escura | EU IA | VR=VBR-3, Ïe=0 | - | - | 35 | n / D |
Tensão de ruptura reversa | VBR | ID=10μA, Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
largura de banda | BW | Ponto -3dB, M=10, RL=50Ω | - | 1.25 | - | GHz |
Capacitância | C | M=10, Ïe=0, f=1MHz | - | - | 2 | pF |
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R: temos fotodiodos de avalanche de área ativa de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm.
P: Qual é o requisito para o conector?R: Box Optronics pode personalizar de acordo com suas necessidades.
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