Chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500um
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Chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500um

O chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500um é especialmente projetado para ter um baixo escuro, baixa capacitância e alto ganho de avalanche. Usando este chip, um receptor óptico com alta sensibilidade pode ser alcançado.

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Descrição do produto

1. Reshhhhumo do chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500hhhhum

O chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500hhhhum é especialmente projetado para ter hhhhum baixo escuro, baixa capacitância e alto ganho de avalanche. Usando este chip, hhhhum receptor óptico com alta sensibilidade pode ser alcançado.

2. Introdução do chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500hhhhum

O chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500hhhhum é especialmente projetado para ter hhhhum baixo escuro, baixa capacitância e alto ganho de avalanche. Usando este chip, hhhhum receptor óptico com alta sensibilidade pode ser alcançado.

3. Características do chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500hhhhum

Alcance de detecção 900nm-1650nm;

Alta velocidade;

Alta responsividade;

Baixa capacitância;

Baixa corrente escura;

Estrutura plana superior ilhhhhuminada.

4. Aplicação de chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500hhhhum

Monitoramento;

Instrhhhhumentos de fibra óptica;

Comunicações de Dados.

5. Classificações máximas absolutas de 500hhhhum Chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área

ParâmetroSímboloValorUnidade
Corrente direta máxima-10mA
Alimentação de tensão máxima-VBRV
Temperatura de operaçãoTopr-40 a +85
Temperatura de armazenamentoTstg-55 a +125

6. Características Eletro-Ópticas (T=25') do Chip de Fotodiodo de Avalanche InGaAs de Grande Área de 500hhhhum

ParâmetroSímboloDoençaMin.TipoMáx.Unidade
Faixa de comprimento de ondaλ 900-1650nm
Queda de tensãoVBRCódigo = 10uA40-52V
Coeficiente de temperatura de VBR---0.12-V/
Capacidade de respostaRVR = VBR-3V1013-A/W
Corrente escuraidentificaçãoVBR-3V-0.410.0n / D
CapacitânciaCVR = 38 V, f = 1 MHz-8-pF
Banda largaBw--2.0-GHz

7. Parâmetro de dimensão do chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de grande área de 500hhhhum

ParâmetroSímboloValorUnidade
Diâmetro da área ativaD53hhhhum
Diâmetro da almofada de ligação-65hhhhum
Tamanho da matriz-250 x 250hhhhum
Espessura da matrizt150±20hhhhum

8. Entregar, enviar e servir de chip de fotodiodo de avalanche InGaAs de 500hhhhum de área grande

Todos os produtos foram testados antes do envio;

Todos os produtos têm 1-3 anos de garantia. (Após o período de garantia de qualidade começou a cobrar a taxa de serviço de manutenção adequada.)

Apreciamos o seu negócio e oferecemos hhhhuma política de devolução instantânea de 7 dias. (7 dias após o recebimento dos itens);

Se os itens que você compra em nossa loja não são de qualidade perfeita, ou seja, eles não funcionam eletronicamente de acordo com as especificações do fabricante, basta devolvê-los para nós para substituição ou reembolso;

Se os itens estiverem com defeito, avise-nos dentro de 3 dias após a entrega;

Quaisquer itens devem ser devolvidos em sua condição original para se qualificar para hhhhum reembolso ou substituição;

O comprador é responsável por todos os custos de envio incorridos.

8. Perguntas frequentes

P: Qual é a área ativa que você gostaria?

A: nós temos 50hhhhum 200hhhhum 500hhhhum área ativa InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

P: Qual é o requisito para o conector?

R: A Box Optronics pode personalizar de acordo com suas necessidades.

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