500um TO CAN InGaAs fotodiodos de avalanche APDs é o maior InGaAs APD disponível comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 1100 a 1650 nm, a resposta de pico em 1550 nm é ideal para aplicações de telêmetro seguras pela eys, espaço livre óptico comunicações, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica. O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção pigtailed também está disponível.
500um TO CAN InGaAs fotodiodos de avalanche APDs é o maior InGaAs APD disponível comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 1100 a 1650 nm, a resposta de pico em 1550 nm é ideal para aplicações de telêmetro seguras para eys, espaço livre óptico comunicações, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica.
O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção pigtail também está disponível.
500um TO CAN InGaAs fotodiodos de avalanche APDs é o maior InGaAs APD disponível comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 1100 a 1650 nm, a resposta de pico em 1550 nm é ideal para aplicações de telêmetro seguras para eys, espaço livre óptico comunicações, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica.
O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção pigtail também está disponível.
Alcance de detecção 1100nm-1650nm;
Ampla faixa dinâmica;
Alta responsabilidade;
Baixa corrente escura;
Pacote TO-46 padrão.
Sensor óptico;
comunicações ópticas de espaço livre.
| Parâmetro | Símbolo | Doença | mín. | máx. | Unidade |
| Tensão reversa PD | RV | CW | - | VBR | V |
| Atual para a frente | SE | CW | - | 10 | mA |
| Corrente inversa | IV | CW | - | 10 | mA |
| Temperatura de operação | PRINCIPAL | Temperatura da Caixa | -40 | +85 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | Temperatura ambiente | -40 | +85 | ℃ |
| Temperatura/Tempo de soldagem de chumbo | Ts | - | - | 260/10 | â/S |
| Parâmetro | Símbolo | Doença | mín. | Tipo. | máx. | Unidade |
| Faixa de comprimento de onda | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
| Área ativa | φ | - | - | 500 | - | um |
| Responsabilidade | Ré | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
| fator de multiplicação | M | VR=VBR-4, λ=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
| corrente escura | EU IA | VR=VBR-4, Ïe=0 | - | 60 | 200 | n / D |
| Tensão de ruptura reversa | VBR | ID=10μA, Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
| largura de banda | BW | Ponto -3dB, M=10, RL=50Ω | - | 2.5 | - | GHz |
| Capacitância | C | M=10, Ïe=0, f=1MHz | - | 8 | - | pF |
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R: temos fotodiodos de avalanche de área ativa de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm.
P: Qual é o requisito para o conector?R: Box Optronics pode personalizar de acordo com suas necessidades.
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