Os APDs de fotodiodos de avalanche InGaAs de 50um são os maiores APDs InGaAs disponíveis comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 900 a 1700nm, a responsividade de pico em 1550nm é ideal para aplicações de detecção de alcance seguras para os olhos, comunicações ópticas de espaço livre, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica. O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção de pigtail também está disponível.
Os APDs de fotodiodos de avalanche InGaAs de 50um são os maiores APDs InGaAs disponíveis comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 900 a 1700nm, a responsividade de pico em 1550nm é ideal para aplicações de detecção de alcance seguras para os olhos, comunicações ópticas de espaço livre, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica.
O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção de pigtail também está disponível.
Os APDs de fotodiodos de avalanche InGaAs de 50um são os maiores APDs InGaAs disponíveis comercialmente com alta responsividade e tempo de subida e descida extremamente rápido em toda a faixa de comprimento de onda de 900 a 1700nm, a responsividade de pico em 1550nm é ideal para aplicações de detecção de alcance seguras para os olhos, comunicações ópticas de espaço livre, OTDR e Tomografia de Coerência Óptica.
O chip é hermeticamente selado em um pacote TO modificado, a opção de pigtail também está disponível.
Alcance de detecção 900nm-1700nm;
Ampla faixa dinâmica;
Alta responsabilidade;
Baixa corrente escura;
Pacote padrão TO-46.
Sensor óptico;
comunicações ópticas de espaço livre.
Parâmetro | Símbolo | Doença | Min. | Máx. | Unidade |
Tensão reversa PD | RV | CW | - | 60 | V |
Atual para a frente | E SE | CW | - | 3 | mA |
Temperatura de operação | TOPO | Temperatura da caixa | -40 | +85 | ℃ |
Temperatura de armazenamento | TSTG | Temperatura ambiente | -40 | +85 | ℃ |
Temperatura/Tempo de solda de chumbo | Ts | - | - | 260/10 | '/S |
Parâmetro | Símbolo | Doença | Min. | Tipo | Máx. | Unidade |
Faixa de comprimento de onda | λ | 900 | - | 1700 | nm | |
Área ativa | φ | - | - | 50 | - | hum |
Responsabilidade | Ré | M = 1, A = 1310 nm | 0.85 | - | - | A/W |
Fator de multiplicação | M | VR=VBR-3, A=1310 nm, E=1uW | 10 | - | - | - |
Corrente escura | identificação | VR=VBR-3, φe=0 | - | - | 10 | n / D |
Tensão de ruptura reversa | VBR | ID=10µA, φe=0 | 40 | 43 | 45 | V |
-3dBm de largura de banda | BW | M=10, RL= 50© | 2.0 | - | - | GHz |
Capacitância | C | M=10, φe=0 | - | - | 0.5 | pF |
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R: temos fotodiodos de avalanche de área ativa de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm.
P: Qual é o requisito para o conector?R: A Box Optronics pode personalizar de acordo com suas necessidades.
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