MMF Raman-WDM Fabricantes

O diodo laser borboleta de 1683nm 10mW DFB para detecção de gás etano C2H6 foi projetado especificamente para satisfazer os requisitos da aplicação do sensor. Os dispositivos apresentam alta potência de saída e ampla faixa de temperatura operacional. Seus pacotes borboleta de 14 pinos são compatíveis com dispositivos SONET OC-48 padrão.

O diodo laser LAN WDM DFB de 10 mW e 20 mW consiste em quatro comprimentos de onda: 1273,55 nm, 1277,89 nm, 1282,26 nm, 1286,66 nm, 1291,10 nm, 1295,56 nm, 1300,05 nm, 1304,58 nm, 1309,14 nm. O comprimento de onda é estabilizado por temperatura. Os diodos de laser são fabricados em um pacote borboleta de 14 pinos hermético selado, que contém TEC, termistor, monitor PD e isolador óptico. Também temos uma seleção completa de potências de saída, tipos de pacote e fibras SM, fibras PM e outras fibras especiais. Este módulo está em conformidade com o requisito Telcordia GR-468-CORE e com as diretivas RoHS.

As Fibras Raman de Fósforo Altamente Dopado da Boxoptronics são projetadas para lasers Raman eficientes e amplificadores operando na faixa espectral de 1,1-1,6 µm. A principal vantagem da fibra dopada com fósforo é o valor de deslocamento Raman três vezes maior em comparação com a fibra dopada com germânio. Esse recurso pode simplificar muito o projeto de amplificadores e lasers de fibra Raman.

O Diodo Laser DFB Acoplado a Fibra de Modo Único de 1064nm utiliza uma construção planar com chip na subportadora. O chip de alta potência é hermeticamente selado em um pacote borboleta de 14 pinos sem epóxi e sem fluxo e equipado com um termistor, resfriador termoelétrico e diodo monitor. Este diodo laser DFB de 1064 nm fornece um espectro de banda estreita sem ruído, mesmo sob mudanças de temperatura, corrente de acionamento e feedback óptico. A seleção de comprimento de onda está disponível para aplicações que exigem o mais alto desempenho no controle de espectro com as mais altas potências disponíveis.

Laser de fibra de pulso de femtosegundo de 780nm Para imagens multifotônicas, use a mais recente tecnologia de laser de femtosegundo para obter uma saída estável de laser de pulso de femtosegundo de 780nm. Com as características de pulso de laser estreito e alta potência de pico.

O chip de fotodiodo InGaAs de 300um oferece excelente resposta de 900nm a 1700nm, perfeito para telecomunicações e detecção de infravermelho próximo. O fotodiodo é perfeito para aplicações de alta largura de banda e alinhamento ativo.